Qualcomm представила мощный 10-нм чип Snapdragon 835

Кроме того, в Snapdragon 835 будет использоваться технология оперативной зарядки Quick Charge 4.0, позволяющая зарядить гаджет в 2,5 раза быстрее. Новый процессор на 27% производительнее и на 40% менее потребляет энергию, чем предшественники — Snapdragon 820/821.

Он производится на мощностях компании Самсунг по 10-нм техпроцессу FinFET.

Эту возможность оценят владельцы девайсов на базе Qualcomm Snapdragon 835.

Если вы планируете приобрести премиум-смартфон в 2016 году, он может быть оборудован чипом следующего поколения QualcommSnapdragon 835, который был анонсирован в четверг.

«Мы рады возможности поработать над Snapdragon 835 вместе с Qualcomm Technologies, используя нашу 10-нм технологию», — подчеркнул Ён Шик Юн (Jong Shik Yoon), исполнительный вице-президент подразделения микроэлектронного производства Самсунг Electronics. Qualcomm заявляет, что 5 мин. заряда хватит на 5 часов применения устройства. Snapdragon 835 заменит собой модели 820 и 821, которые можно найти во внутренностях актуальных на сегодняшний день флагманов, вроде HP Elite x3 либо Alcatel Idol 4S. По располагаемым достоверным данным Qualcomm, наличие функции быстрой зарядки аккумулятора является на текущий момент одним из основных критериев при выборе нового телефона для 61% пользователей. А 15-минутной зарядки хватит для того, чтобы заполнить средний аккумулятор от 0 до 50%.

Компания Qualcomm сегодня представила технологию быстрой зарядки Quick Charge 4. Немаловажно и то, что новая технология совместима со стандартом USB Power Delivery, тогда как прошлые версии такой совместимостью не обладали.

Чипмейкер отчитался о существенном улучшении технологии параллельной зарядки, получившей в новейшей версии имя Dual Charge++. Она владеет тремя уровнями борьбы с подачей очень огромного напряжения и силы тока, а еще четырьмя уровнями проверки температуры. Кроме того, мобильные телефоны с Quick Charge 4.0 будут в состоянии определять тип подключённого кабеля и его качество.

Qualcomm Snapdragon 835: 10-нм техпроцесс и быстрая зарядка за 5 минут


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.